士兰微电子荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖

士兰微电子荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖

日前，由行家信息科技、行家芯网科技主办的行家说三代半年会“2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳国际会展中心举办。其中，士兰微电子荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖。

2023年，公司加快推进“士兰明镓SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。目前，士兰明镓已具备月产3,000片6英寸SiC芯片的生产能力。

公司已完成第二代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已开始上车，已开始批量交付。

明星产品

SSM1R7PB12B3DTFM是士兰微电子基于自主知识产权的SiC MOS芯片技术所开发的六单元拓扑模块，是士兰微电子推出的新能源电动汽车电驱系统应用领域的主力产品之一，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级等优势，为严苛环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。该产品具有行业领先的高阻断电压、低导通电阻和高电流密度等技术指标，整体可靠性上达到国际先进水平。该产品从芯片上采用低界面态密度和高沟道迁移率的SiC/SiO2氧化工艺研发，单芯片导通电阻达到甚至优于国外同级别器件水平；封装方面攻克纳米银烧结、铜线键合技术并实现量产。

经过二十多年的发展，公司已成为目前国内最大IDM公司之一。作为IDM公司，公司带有资产相对偏重的特征，在外部经济周期变化的压力下，也会在一定程度上承受经营利润波动的压力。但是相对于轻资产型的Fabless设计公司，公司在特色工艺和产品的研发上具有更突出的竞争优势：实现了特色工艺技术与产品研发的紧密互动，以及集成电路、功率器件、功率模块、MEMS传感器、光电器件和第三代化合物半导体芯片的协同发展；公司依托IDM模式形成的设计与工艺相结合的综合实力，加快提升产品品质、加强控制成本，向客户提供高质量、高性价比的产品与服务，可满足下游整机（整车）用户多样化需求，具有较强的市场竞争能力。2022年，公司电路和器件成品的销售收入中，已有接近70%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。

当前，在国家政策持续支持，以及下游电动汽车、新能源等行业快速发展、芯片国产替代进程明显加快的大背景下，士兰微电子迎来了较快发展的新阶段。士兰微电子将持续推动满足车规级和工业级要求的器件和电路在各生产线上量，持续推动士兰微整体营收的较快成长和经营效益的提升。