意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
来源:人民财讯 作者:刘良文 2025-04-01 09:21
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人民财讯4月1日电,近日,意法半导体与英诺赛科共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。根据协议,双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划,并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用的光明前景。此外,根据协议约定,英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆,而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。双方共同的目标是依托这种灵活的供应链布局,拓展各自的氮化镓产品组合和市场供应能力,提升供应链韧性,从而满足更广泛的应用场景下的各种客户需求。

责任编辑: 许擎天梅
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